亚洲最大规模宽禁带碳化硅半导体材料生产基地建成

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 半导体材料 宽禁带 生产基地 光电子器件 重点建设项目 电力电子器件 核心材料 第三代半导体 微波器件 天岳
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（1）
• 页码范围: 36-36
• 页数: 1页
• 分类号: F416.6

摘要

【正】近日,国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。据悉,宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料,目前正在逐步取代硅(Si)晶等传统材料,成为新一代高端半导体行业的主要生产材料。宽禁带碳化硅半导体材料广泛应用于半导体电力电子器件、微波器件、光电子器件