(0001)SiC衬底MgB2超薄膜的制备和性质研究

• 作者: 冯庆荣 朱凌志 董兴辉 陈雷 马世成
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: SiC衬底 MgB2超薄膜 混合物理化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 262-266
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为(HPCVD)在(0001) SiC衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体、压强、载气氢气流量以及B2H6的流量一定的情况下,改变沉积时间,制得一系列MgB2超薄膜样品.通过观察样品的表面形貌变化探究了MgB2超薄膜的生长过程.该系列超薄膜的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式且沿c轴外延生长.以20nm超薄膜作为例子,可知其表面连接性良好,超导转变温度Tc (0)≈38.5K,临界电流密度Jc≈0.82×107 A/cm2,表明了利用HPCVD在(0001) SiC衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能.这预示其在超导电子器件上具有广阔的应用前景.