TSV技术持续突破提升3D集成电路成本效益

• 作者: Julien Happich
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 3D集成电路 硅穿孔 TSV
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2609字
• 语种: 中文

摘要

从制造商的立场来看,除非实现硅穿孔(TSV)所增加的成本以及随之而来的所有工艺步骤都能够因为芯片性能优势而得到大部分的补偿,或是工艺与材料成本大幅降低,才可能加速3D IC的量产.在2015欧洲3D TSV高峰会上,提到一个重要的问题:如何才能将拥有成本平均分配到整个供应链?