1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究

• 作者: 易天成 王荣 肖鹏飞 郑勇
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 电子辐照 光致发光 非辐射复合中心
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 568-570
• 分类号: TM914
• 语种: 中文
• DOI: 10.16360/j.cnki.jbnuns.2015.06.005

摘要

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30～290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41 eV)和H3(EV+0.71 eV).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	34	284	10.0	15.0
5	郑勇	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	16	33	3.0	5.0
9	肖鹏飞	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
13	易天成	北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0