外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究

• 作者: 张学敏 张宝顺 张泽洪 张立国 李哲 杨霏 范亚明 钮应喜 鞠涛
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 碳化硅 外延生长 晶体质量
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 4140-4143
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.24|TN304.054
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.028

摘要

石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2~10μm 厚的碳化硅，然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长，从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象，并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征，验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。