基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合

• 作者: 宋尔冬 王亚彬 王成杨 王晓光 郑丽
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面激活 表面态 高温退火 硅-硅直接键合(SDB) 空洞 键合强度
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 325-328
• 分类号: TN305.93
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.05.010

摘要

提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态.经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合.通过镜下检查和破坏性实验等方式分别对键合的效果和强度进行深入测试,并给出相应的实验效果图和测试结果.实验结果表明,采用新激活方法的键合界面无空洞且均一性良好,键合强度高,证明了新激活方法的可行性和优越性.针对高温键合工艺过程中容易产生空洞这一问题提出了新的解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑丽	中国电子科技集团公司第四十九研究所	11	31	4.0	5.0
2	王晓光	中国电子科技集团公司第四十九研究所	11	31	2.0	5.0
3	王成杨	中国电子科技集团公司第四十九研究所	4	8	2.0	2.0
4	王亚彬	中国电子科技集团公司第四十九研究所	5	6	1.0	2.0
5	宋尔冬	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	1	1.0	1.0