氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 氮化硼 气相外延 上海微系统 功能材料 国家重点实验室 电学性能 霍尔迁移率 催化能力 晶畴
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 34-34
• 页数: 1页
• 分类号: TQ127.11

摘要

【正】中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员,通过引入气态催化剂的方法,在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日,相关研究论文发表于《自然—通讯》。该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上,以乙炔为碳源,创新性地引入硅烷作为催化剂,通过化学气相外延的方法,