高压对含Zni的ZnO结构及光电性质的影响

• 作者: 毛彩霞 胡永红
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 高压 第一性原理计算 电子结构 光学特点
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 540-545,549
• 页数: 7页
• 分类号: O481.1
• 字数: 4341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2015.06.005

摘要

基于DFT的第一性原理计算含间隙锌Zni点缺陷的ZnO体系的晶体结构、电子结构及光学性质随压强变化的规律.结果表明,晶格常数随压强增加而线性减小,原因是压力的增加导致晶胞体积减小.对电子结构和光学性质的研究发现,体系的最小带隙宽度随压强的增加而线性增加,光谱的峰位随压强的变化出现不同的能移,在3.0~4.7 eV光子能量范围内,压强变化对介电峰和吸收峰强度的影响显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡永红	南京理工大学材料科学与工程学院	23	14	1.0	3.0
3	毛彩霞	湖北科技学院核技术与化学生物学院	13	3	1.0	1.0