负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响

• 作者: 吴隽 李涛涛 祁婷 祝柏林 龙晓阳 龚甜
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 六方氮化硼 薄膜 沉积 Si 衬底 射频磁控溅射 负偏压 生长模式 粗糙度 相变
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 351-356
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2815字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射法在 n 型 Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN)，采用 AFM、Raman、XPS、FT-IR 等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明，当负偏压为0 V 时，沉积所得 h-BN 薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c 轴垂直于衬底且以层状模式生长；随着负偏压的增加，薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长，表面粗糙度增加，且 h-BN 经亚稳相 E-BN 和 w-BN 向 c-BN 转变，使得 BN 薄膜相系统更加混乱，不利于高质量层状 h-BN 薄膜的获取。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛涛	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	8	21	3.0	4.0
2	吴隽	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	18	27	3.0	4.0
3	龚甜	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	7	31	3.0	5.0
4	祝柏林	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	8	21	3.0	4.0
5	龙晓阳	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	4	4	2.0	2.0
6	祁婷	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	1	2	1.0	1.0