脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成

• 作者: 吕反修 夏立芳 田晶泽
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼 活性反应离子镀 脉冲偏压
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2258-2262
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 3895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.11.041

摘要

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压,增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N2)和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律.结果表明:随着基片负偏压和放电电流的增大,薄膜中立方氮化硼的纯度提高,当基片负偏压为155V,放电电流为15A时,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜.基片温度为5500℃和Ar/N2流量比为10时,最有利于立方氮化硼的形成.偏离这个值,都会促进薄膜中非立方相的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏立芳	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	48	772	16.0	26.0
2	吕反修	北京科技大学材料科学与工程学院	151	1208	18.0	24.0
3	田晶泽	北京科技大学材料科学与工程学院	3	11	2.0	3.0