安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 安森美半导体 N沟道MOSFET 导通电阻 产品阵容 击穿电压 导通损耗 皮法 门极 数据网络 令人
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 4-5
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏,最大导通电阻值(Vgs为10V时)分别为0.74mΩ、0.9mΩ和2.8mΩ,连续漏电流分别为352A、315A和127A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NT-