In和Cu掺杂对Sn基钎料抗电性能影响的第一性原理研究

• 作者: 张星辉 黄彬彬
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 Sn基钎料 扩散激活能 稳定性 电子结构
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 168-172
• 页数: 5页
• 分类号: TG139.7
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.01.029

摘要

采用第一性原理的方法对Cu和In提高Sn基钎料抗电性能机制进行研究。计算结果表明,Sn31 Cu和Sn31 In相对Sn32具有更高的扩散激活能,并且最靠近掺杂位置的Sn原子的扩散迁移能高于Cu和In原子,这表明Cu和In的掺杂可以提高Sn基钎料的抗电性能,并且Cu和In原子在电迁移过程中是占主导的扩散元素。电子结构分析表明Cu和In的掺杂可以提高体系的稳定性,特别是极大地稳定了与其邻近的Sn原子。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张星辉	西南交通大学现代物理研究所	12	117	4.0	10.0
2	黄彬彬	福建师范大学闽南科技学院	2	4	1.0	2.0