Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算

• 作者: 刘铁铮 张志华 林龙 陶华龙
• 来源期刊: 大连交通大学学报
• 学科: 哲学
• 关键词: 稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: A
• 字数: 1920字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0∶3d-C∶ 2p-Cr1∶ 3d链耦合,处于铁磁基态.Cr掺杂4H-SiC体系的铁磁机理是空穴作为载流子的双交换机制,C与Cr原子间强烈的p-d轨道间杂化作为铁磁交换的媒介.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林龙	大连交通大学材料科学与工程学院	14	13	2.0	2.0
3	张志华	大连交通大学材料科学与工程学院	11	18	3.0	4.0
4	陶华龙	大连交通大学材料科学与工程学院	5	7	2.0	2.0
7	刘铁铮	大连交通大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0