掺杂TiO2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

• 作者: 于晓华 王远 荣菊 詹肇麟
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 TiO2掺杂 压敏电压 非线性系数 漏电流
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 31-34
• 分类号: TB321
• 语种: 中文

摘要

以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4 μm,掺杂纳米TiO2高达30.5 μm;当TiO2掺杂量为1.5％ mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 mA及为非线性系数为20.1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	詹肇麟	昆明理工大学材料科学与工程学院	85	454	12.0	18.0
2	王远	西南林业大学机械与交通学院	49	65	4.0	5.0
3	于晓华	昆明理工大学材料科学与工程学院	36	58	4.0	5.0
4	荣菊	中国科学院金属研究所	6	14	3.0	3.0