数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计

• 作者: 周晓彬 田海燕 陈菊
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 抗辐射加固 数字电路 单粒子瞬态效应
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1649字
• 语种: 中文

摘要

随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小，数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路，单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法，主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性，设计电路中MOS管的尺寸，使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手，计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数，得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容，再折算到器件电容上，最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础，提供了良好的借鉴。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周晓彬		5	3	1.0	1.0
2	陈菊		3	2	1.0	1.0
3	田海燕		6	14	1.0	3.0