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摘要:
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著.单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效.在自刷新三模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 单粒子瞬态脉冲 抗辐射加固 触发器 三模冗余
年,卷(期) 2018,(9) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 36-38,41
页数 4页 分类号 TN303
字数 1589字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王栋 14 25 3.0 4.0
2 田海燕 6 14 1.0 3.0
3 曹靓 6 15 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子瞬态脉冲
抗辐射加固
触发器
三模冗余
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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