闪存阵列的可重构策略

• 作者: 宋振龙 张晓明 方健 魏登萍
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 固态存储 阵列 磨损均衡 擦除
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 专题:微处理器设计与工艺
• 页码范围: 8-13,20
• 页数: 7页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 5012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.201501002

摘要

利用低延迟、低功耗、高可靠的闪存芯片构建闪存存储阵列是实现高性能存储系统的有效手段。但应用传统磁盘阵列技术构建闪存存储阵列，会引入磨损均衡、校验数据更新频繁导致阵列生命周期降低等问题。针对闪存固有的读写特性，设计实现了一种基于 NAND Flash 的高性能磁盘阵列机制———基于缓存的可重构磁盘阵列策略。该机制采用可重构条带的思想，利用存储等级的内存作为缓存，对数据顺序重组。实验结果表明：该策略能够有效降低垃圾回收开销，提高闪存阵列的性能和使用寿命。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓明	国防科技大学计算机学院	14	53	4.0	6.0
2	魏登萍	国防科技大学计算机学院	8	53	4.0	7.0
3	宋振龙	国防科技大学计算机学院	3	10	1.0	3.0
4	方健	国防科技大学计算机学院	1	1	1.0	1.0