基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究

• 作者: 孙翔 张建华 李喜峰 石继锋 陈龙龙
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 柔性 薄膜晶体管 铟镓锌氧化物 迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 796-800
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 1955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153005.0796

摘要

讨论了基于柔性 PI 基底上的底栅型 TFT 器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3 N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14．8 cm2/(V.s),阈值电压 V th 约0.5 V,亚域值摆幅 SS 约0．5 V/decade,TFT 器件的开关比 I on/I of ＞106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED 或电子纸的驱动要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
2	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
3	陈龙龙	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	4	16	3.0	4.0
4	孙翔	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0
5	石继锋	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	6	18	3.0	4.0