IBM在硅上生长化合物半导体

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 IBM 晶体缺陷 技术名 TEMPLATE 微细化 摩尔定律 半导体性能 瑞士苏黎世 硅纳米线
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（3）
• 页码范围: 34-35
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.05

摘要

【正】IBM公司的瑞士苏黎世研究所开发出了可在硅元件上生长出几乎没有晶体缺陷的化合物半导体晶体纳米线的技术。这可以说是一种虽然以Si/CMOS技术为基础,却无需依靠微细化就能提高半导体性能的方法。IBM将其定位于可延续摩尔定律的技术,同时也将其视为一项有望实现可在硅上形成光学电路的硅光子的技术。IBM此次开发的技术名为"模板辅助选择性外延"(Template-Assisted Se-