维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件

• 作者: 夏宇 张国梁 曾云 鄢永明
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 失效电流 维持电压 可控硅
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 物理电子学
• 页码范围: 700-704
• 页数: 5页
• 分类号: TN335
• 字数: 1478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.011

摘要

为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系，采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件，使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明，随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm，ESD器件的维持电压线性增大，从2.29 V升高到9.64 V，幅度达421%；单位面积的失效电流线性减小，幅度约为63%。分析与仿真结果表明，该线性关系具有普遍适用性，可用于调节器件的健壮性和功率耗散能力，满足智能功率集成电路的高压ESD防护需求。另一组随着P阱内P+区和N+区间距增大，维持电压和失效电流呈现非线性的变化，但触发电压迅速降低，可用于实现高压SCR ESD器件的低触发电压设计。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
2	夏宇	湖南大学物理与微电子科学学院	9	43	4.0	6.0
3	鄢永明	湖南大学物理与微电子科学学院	5	42	4.0	5.0
4	张国梁	湖南大学物理与微电子科学学院	3	7	1.0	2.0