Vishay推出600V E系列MOSFET,利用Kelvin连接来实现更好的性能

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: KELVIN VISHAY 表面贴装 低热阻 漏极 栅极驱动 导通电阻 栅极电荷 源极 开关速度
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 13-14
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

<正>Vishay推出采用小尺寸PowerPAK 8×8封装的600V E系列功率MOSFET—SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装