晶圆减薄过程TTV调整技术研究

• 作者: 王欣 衣忠波 赵秀伟
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 晶圆减薄机 总厚度偏差 主轴角度
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 773字
• 语种: 中文

摘要

晶圆背面减薄是集成电路后封装关键工艺，通过金刚石磨轮的磨削作用，对芯片背面的基体材料-硅材料去除一定的厚度，从而降低芯片厚度，改善芯片的散热效果，有利于后期的封装工艺。主要介绍了在晶圆减薄过程中的关键指标TTV 的影响因素，通过设备自动控制，进行工艺角度调整，能够减小晶圆TTV 值，从而提高晶圆磨削质量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	衣忠波		2	4	1.0	2.0
2	赵秀伟		3	5	1.0	2.0
3	王欣		1	4	1.0	1.0