Toyoda Gosei团队在氮化镓领域实现突破

• 作者: 科信
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 Toyoda Gosei 纳米电子 阻断电压 应用物理 击穿电压 研究报告 漂移区 电压参数
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（5）
• 页码范围: 24-
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

<正>日本Toyoda Gosei公司研发总部的研究人员近日在《应用物理快讯》杂志上发表了研究报告,称最新研发出垂直取向的氮化镓基晶体管,其阻断电压超过1kV。这一研究进展对氮化物器件在汽车以及相关领域的应用十分重要。较低的电阻可减少功耗和发热,这一特性吸引了众多研究者将注意力放在氮化镓的纳米电子应用。而之前的研究主要集中在横向氮化镓和铝镓氮晶体