超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现

• 作者: 包飞军 曹刚 石艳玲 葛艳辉 陈滔
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超高压BCD 多晶硅电阻 可靠性 焦耳热效应 电迁移
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 495-498
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 2634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.03.005

摘要

多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应，阻值受温度和电流的影响很大，针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻，其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析，结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论，分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响，并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科技与技术学院	47	205	8.0	12.0
2	陈滔	华东师范大学信息科技与技术学院	2	7	1.0	2.0
4	包飞军	华东师范大学信息科技与技术学院	1	0	0.0	0.0
5	曹刚		1	0	0.0	0.0
6	葛艳辉		1	0	0.0	0.0