准分子激光辐照法改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能

• 作者: 徐晨 蒋毅坚 谈浩琪 赵艳
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 GaN 发光二极管 准分子激光辐照 发光性质 电学性质
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 190-196
• 页数: 7页
• 分类号: TM23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201542.1006004

摘要

采用不同能量密度、脉冲数的248 nm准分子激光对表面为p型的GaN外延片进行辐照,再对样品进行退火处理.对激光辐照前后以及退火前后的样品进行光致发光、阴极射线谱、X射线光电子谱、霍尔效应、Ⅰ-Ⅴ曲线等表征.实验结果表明:激光辐照和N2气氛下退火相结合可以使GaN外延片的电学和发光性能均较辐照前有不同程度的提高.将改性后的GaN外延片封装成发光二极管(LED)器件,研究了其发光性能与激光辐照能量密度和退火气氛的关系.改性后的GaN基LED器件的发光强度最高可增加约37％,说明GaN外延片电学和发光性能的改善将直接影响其封装成LED器件后的发光性能,这对于提高GaN基LED的性能有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨		63	295	9.0	13.0
2	蒋毅坚		100	628	12.0	21.0
3	赵艳		33	153	7.0	12.0
4	谈浩琪		1	0	0.0	0.0