世界首家ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽结构 世界 半导体制造商 MOSFET 功率调节器 太阳能发电 导通电阻 芯片尺寸
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 6-7
• 页数: 2页
• 分类号: TN946.5

摘要

全球知名半导体制造商ROHM近日世界首家开发出采用沟槽结构的SiC—MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC—MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50％，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。