飞思卡尔推出全新的射频功率LDMOS放大器

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS晶体管 射频功率放大器 飞思卡尔 无线电传输 集成器件 运行电压 使用寿命 半导体
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TN722.75

摘要

飞思卡尔半导体日前推出了全新的宽带射频功率放大器一新款Airfast AF—IC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款产品的运行电压为3．6V或7．5V，主要适用于无线电传输范围的功耗和电池使用寿命的高效性为重要设计要求的应用。