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摘要:
为了提高SiGe异质结双极型晶体管( heterojunction bipolar transistors, HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性。随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性。在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
来源期刊 北京工业大学学报 学科 工学
关键词 SiGe异质结双极型晶体管( HBTs) 温度敏感性 杂质浓度分布 Ge组分分布
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 电子信息与控制工程
研究方向 页码范围 686-692
页数 7页 分类号 TN385
字数 4201字 语种 中文
DOI 10.11936/bjutxb2014070018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张万荣 北京工业大学电子信息与控制工程学院 105 390 8.0 12.0
2 金冬月 北京工业大学电子信息与控制工程学院 49 155 8.0 8.0
3 付强 北京工业大学电子信息与控制工程学院 17 39 4.0 5.0
4 赵彦晓 北京工业大学电子信息与控制工程学院 9 29 3.0 5.0
5 张良浩 北京工业大学电子信息与控制工程学院 4 10 2.0 3.0
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SiGe异质结双极型晶体管( HBTs)
温度敏感性
杂质浓度分布
Ge组分分布
研究起点
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北京工业大学学报
月刊
0254-0037
11-2286/T
大16开
北京市朝阳区平乐园100号
2-86
1974
chi
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