一种高带宽NP型CMOS APD的研究

• 作者: 冯世娟 杜超雨 王冠宇 王婷 王巍 王川 王振 颜琳淑
• 来源期刊: 红外与激光工程
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 699-704
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 字数: 3592字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上，增加一个N型深掩埋层，并在该掩埋层单独加上电压，以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数，通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明：采用标准0.18μm CMOS工艺，所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm，在反向偏压为16.3 V时，器件的雪崩增益为20，响应度为0.47 A/W，3 dB带宽为8.6 GHz。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	冯世娟	重庆邮电大学光电工程学院	26	115	8.0	9.0
3	王振	重庆邮电大学光电工程学院	26	71	6.0	7.0
4	王冠宇	重庆邮电大学光电工程学院	10	26	3.0	4.0
5	王婷	重庆邮电大学光电工程学院	5	11	2.0	3.0
6	颜琳淑	重庆邮电大学光电工程学院	3	13	2.0	3.0
7	王川	重庆邮电大学光电工程学院	3	14	2.0	3.0
8	杜超雨	重庆邮电大学光电工程学院	1	6	1.0	1.0