CMOS阵列响应过程中的电串扰特性研究

• 作者: 张蓉竹 罗福 赖莉萍
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 阵列探测器 CMOS图像传感器 电串扰 感光面积
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: TN211
• 字数: 3815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.061019

摘要

在利用CMOS阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件成像质量.为了更好地了解串扰对器件响应过程的影响,针对CMOS图像传感器的电串扰特性进行了分析,建立了电串扰数学分析模型,对电串扰的大小进行了定量计算.具体分析了不同扩散长度、感光面积、耗尽层宽度、像素尺寸和温度对电串扰的影响.分析结果表明,感光面积、耗尽层宽度与像素尺寸对电串扰的影响最大,扩散长度和温度对电串扰的影响相对较小.感光面积由3.8 μm2增加到12.8 μm2后,归一化的电串扰减小了约13％;像素尺寸由7μm×7μm增加为15μm×15μm时,电串扰增加了约95.4％;温度由100 K增加到180 K后,电串扰下降了约0.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张蓉竹	四川大学电子信息学院	107	573	10.0	20.0
2	罗福	中国工程物理研究院流体物理研究所	15	128	6.0	11.0
3	赖莉萍	四川大学电子信息学院	2	5	1.0	2.0