双层SiNx∶H减反膜多晶硅太阳电池及其组件性能研究

• 作者: 仇展炜 单伟 李永辉 牛新伟 石强 胡金艳 蒋前哨 韩玮智
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双层SiNx∶H薄膜 钝化 管式PECVD 功率损失
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 108-112
• 页数: 5页
• 分类号: TK513.5
• 字数: 2671字
• 语种: 中文

摘要

利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx∶H薄膜,其中底层和顶层SiNx折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17 nm和67 nm.薄膜的折射率通过改变反应气体的Si/N比进行调控,底层SiNx制备时Si/N比越大,反射率越低,而电池Jsc先增加后下降.反射率曲线、外量子效率(EQE)和电学性能表明,和单层膜相比,双层膜的短波部分(300～650 nm)反射率远低于单层膜;其电池在680～950 nm波段光谱响应较单层膜稍好;电池Uoc和Isc均有较大提升,光电转换效率绝对值提高了0.193％.同时,双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仇展炜		4	8	2.0	2.0
2	单伟		9	4	1.0	2.0
3	胡金艳		4	3	1.0	1.0
4	牛新伟		6	19	2.0	4.0
5	韩玮智		3	6	1.0	2.0
6	石强		1	0	0.0	0.0
7	蒋前哨		1	0	0.0	0.0
8	李永辉		1	0	0.0	0.0