原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
为了更好地设置不同错误率预估模型的参数以及为抗辐射加固设计提供指导,以微处理器为例,针对敏感体深度这一参数进行了探测。利用脉冲激光局域辐照以及聚焦深度可调的优势对180 nm体硅CMOS工艺的32位微处理器的缓存(cache)区域、寄存器堆(regfile)区域以及组合逻辑区域进行了敏感体深度的探测,结果表明,在同一工艺下的不同功能敏感区域内,其敏感体深度基本一致,均为1μm左右。这一方法能够准确、方便、快速地获取器件的敏感参数,为更好地对器件进行错误率预估提供参考。
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文献信息
篇名 基于激光实验探测32位微处理器的敏感体深度
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 微处理器 敏感体深度 激光背部辐照 错误率预估
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 171-175
页数 5页 分类号 TN402
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 岳素格 28 96 5.0 8.0
2 郑宏超 16 23 2.0 4.0
3 陈茂鑫 3 1 1.0 1.0
4 于春青 5 6 1.0 2.0
5 范隆 6 17 2.0 4.0
传播情况
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2011(1)
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研究主题发展历程
节点文献
微处理器
敏感体深度
激光背部辐照
错误率预估
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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59060
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