纤锌矿InxGa1-xN合金的电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 张威虎 张富春 阮兴祥
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 关键词: TnxGa1-xN 第一性原理 合金 特性
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 3027-3031
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究In掺杂对纤锌矿Inx GahN合金的晶格常数、能带结构、态密度和光学性质的影响.计算结果表明:随着In掺杂浓度的增加,晶格常数逐渐增大,导带向低能方向移动,带隙变窄;与此同时,介电函数向低能方向发生了漂移,发生了红移现象.在2.0 eV附近出现了第一个介电峰,在4.76 eV附近出现了最大的介电峰.在大约5.6 eV和9.2 eV处有两个交叉点,当光子能量低于5.6或者高于9.2 eV,低掺杂浓度(小于50％)的吸收系数小于高掺杂浓度的吸收系数;当光子能量在5.6到9.2 eV之间,低掺杂浓度的吸收系数高于高掺杂浓度的吸收系数.研究结果表明InxGa1-xN合金可以作为太阳能电池以及透明导电薄膜的材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张威虎		71	256	8.0	12.0
2	张富春		94	391	10.0	17.0
3	阮兴祥		4	1	1.0	1.0