加合反应对MOCVD生长GaN化学反应路径的影响

• 作者: 何晓崐 左然
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD RDR 反应路径 GaN
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3687-3691,3698
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3172字
• 语种: 中文

摘要

针对分隔进口垂直高速转盘式(RDR)MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行数值模拟研究.分别考虑TMG与一个NH3的加合反应(模型1)和TMG: NH3与第二个NH3的加合反应(模型2)两种情况,通过对比两种情况下衬底表面附近主要反应前体的浓度大小,判断GaN生长的主导反应路径.通过分析模拟结果发现:只考虑TMG与一个NH3的加合反应时,GaN生长主要遵循TMG热解路径;在考虑TMG: NH3与第二个NH3的加合反应时,GaN生长主要遵循加合路径.由此可见,TMG: NH3与第二个NH3的反应对于MOCVD生长GaN的化学反应路径的选择具有很大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	何晓崐	江苏科技大学苏州理工学院	8	13	2.0	3.0