反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟

• 作者: 左然 徐谦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN生长 MOCVD反应器 表面化学反应 数值模拟
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 338-343
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.022

摘要

本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟.得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布.将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,发现在相同参数情况下,两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀,近衬底处温度梯度较大,高温区域被压制在离衬底较近的区域,流线均比较平滑,在衬底上方没有明显的旋涡;新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器,但沉积速率小于后者,大约只有后者的1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	徐谦	江苏大学能源与动力工程学院	13	107	6.0	10.0