一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟

• 作者: 于海群 左然 陈景升
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多喷淋头 MOCVD 反应器设计 GaN生长 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1065-1070,1082
• 分类号: O484
• 字数: 2991字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器.针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流(筒)壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响.模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流.通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体.通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	于海群	江苏大学能源与动力工程学院	16	158	8.0	12.0
3	陈景升	江苏大学能源与动力工程学院	6	53	4.0	6.0