电容式射频微机电系统开关损耗机制

• 作者: 尤政 李沐华 赵嘉昊
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 损耗机制 射频微机电系统 电容式开关 共面波导
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 微机电系统
• 页码范围: 162-167
• 页数: 6页
• 分类号: TN623
• 字数: 752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.024132

摘要

插入损耗是射频微机电系统(RF MEMS)开关的关键性能指标之一.电容式RF MEMS开关是一种适合高频应用的开关器件,对其损耗机制进行了研究.电容式RF MEMS开关的射频损耗主要包括四部分:信号线的导体损耗、衬底损耗、辐射损耗以及MEMS桥损耗.对电容式RF MEMS开关建立了损耗模型并进行了数值计算,同时在HFSS有限元软件中进行了电磁仿真,数值计算结果和有限元仿真结果较好的吻合.此外,对影响电容式RF MEMS开关插入损耗的因素进行了分析,结果表明,高阻抗的衬底、200 μm左右的导体宽度、较小的导体厚度以及较小的up态电容能够降低开关的插入损耗,提高开关的射频性能.