硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究?

• 作者: 岐业 张怀武 杨青慧 田伟 荆玉兰 陈智
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 太赫兹波 调制器 光控 掺金硅
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 28401-1-28401-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.028401

摘要

提出了一种基于掺金硅的全光学宽带太赫兹波幅度调制器，研究了金(Au)点阵掺杂后硅(Si)体内的少数载流子寿命及其太赫兹波调制特性.实验结果表明，掺杂的Au原子为Si中的光生电子-空穴对提供了有效复合中心，使其少数载流子寿命由原来十几微秒降低至110 ns左右.利用波长915 nm 调制激光作为抽运光源，在340 GHz载波的动态调制测试中获得4.3 MHz的调制速率和21%的调制深度，使Si基调制器的调制速率提高了两个数量级.该全光太赫兹调制器可工作在整个太赫兹频段内，具有极化不敏感特性，因而在太赫兹波高速和宽带调控方面具有重要的应用价值，也是构建光控型Si基太赫兹功能器件的重要基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
2	杨青慧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	167	7.0	11.0
3	荆玉兰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	26	167	9.0	11.0
4	陈智	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	25	260	9.0	15.0
5	岐业	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	47	4.0	5.0
6	田伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	2.0	4.0