基于硅基微结构高性能太赫兹波电控调制器

• 作者: 代朋辉 唐亚华 张怀武 文岐业 杨青慧
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹波 微米结构 调制器 VO2薄膜 绝缘体金属相变
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201901.0029

摘要

通过硅基微结构与二氧化钒(VO2)相变薄膜相结合,设计并实现了一种电控太赫兹幅度调制器件.该调制器具有很高的太赫兹波透射率与极低的器件插损,同时具有大的工作带宽和调制深度.仿真和实验测试结果表明,该调制器对太赫兹波的增透响应带宽为0.25～0.95 THz波段.在0.4～0.85 THz频段内(约450 GHz宽带)的透射率超过80％,相较于硅衬底的透射率增加了10％以上,且透射率最高可达85％.对该器件电调控后,调制深度可达76％以上,器件透射率变化幅度可达65％.因低插损、大调制幅度以及宽工作带宽,该太赫兹调制器在太赫兹成像和通信系统中具有重要的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
2	文岐业	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	23	148	5.0	11.0
3	杨青慧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	167	7.0	11.0
4	唐亚华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	代朋辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0