一种改进的WOx忆阻器模型及其突触特性分析?

• 作者: 孟凡一 段书凯 王丽丹 胡小方 董哲康
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻器 离子扩散 突触可塑性 温度
• 年，卷（期）: 2015,（14）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 148501-1-148501-11
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.148501

摘要

忆阻器被定义为第四种基本电子元器件，其模型的研究呈现多样性。目前，忆阻器模型与忆阻器实际特性的切合程度引起了研究者的广泛关注。通过改变离子扩散项，提出了一种新的WOx忆阻器模型，更好地匹配了忆阻器的实际行为特性。首先，新的模型不仅能够描述忆阻器的一般特性，而且能够俘获记忆丢失行为。另外，将新的忆阻器作为神经突触，分析了脉冲速率依赖可塑性、短期可塑性、长期可塑性，并发现了与生物系统中极为相似的“经验学习”现象。最后，考虑到温度与离子扩散系数的关系，探讨了温度对突触权值弛豫过程的影响。实验表明，新忆阻器模型比原来的模型更切合实际，且更适合作为突触而应用到神经形态系统之中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段书凯	西南大学电子信息工程学院	62	480	14.0	19.0
2	王丽丹	西南大学电子信息工程学院	50	402	12.0	18.0
3	胡小方	香港城市大学机械与生物医学工程系	6	77	5.0	6.0
4	孟凡一	西南大学电子信息工程学院	1	7	1.0	1.0
5	董哲康	西南大学电子信息工程学院	4	33	3.0	4.0