氧化铟锡 TCO 薄膜的制备及其结晶性能研究

• 作者: 康淮 钟志有 陆轴 顾锦华 龙路
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铟锡 薄膜 微结构 结晶性能
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 91-96,140
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4290字
• 语种: 中文

摘要

以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源，采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡（ ITO）透明导电薄膜，通过X-射线衍射仪（ XRD）和X-射线光电子能谱仪（ XPS）测试表征，研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响．结果表明：所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构，其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响．生长温度升高时，薄膜（222）晶面的织构系数TC（222）和晶粒尺寸先增后减，而晶格应变和位错密度则先减后增．当生长温度为500 K时，ITO样品的织构系数TC（222）最高（1．5097）、晶粒尺寸最大（52．8 nm）、晶格应变最低（1．226×10－3）、位错密度最小（3．409×1014 m－2），具有最佳的（222）晶面择优取向性和微结构性能．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
2	顾锦华	中南民族大学实验教学与实验室管理中心	33	183	9.0	12.0
3	龙路	中南民族大学电子信息工程学院	11	55	4.0	7.0
4	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
5	康淮	中南民族大学电子信息工程学院	11	61	6.0	7.0