D+注入对Li4SiO4表面形貌影响的研究

• 作者: 冯勇进 刘翔 尹星 李凌群 沈丽如 赵云华 金凡亚 陈晓军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 热解析性能 氚增殖材料 表面形貌
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 844-848
• 分类号: TQ131.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.07.20

摘要

国际热核聚变堆采用氚增殖剂与中子反应产生氚,其中氚增殖剂的释放行为和辐照性能是聚变堆设计研究的重要内容,中国独立发展的氦冷固态球床实验包层初步采用硅酸锂作为氚增殖剂.本文采用氢的同位素氘模拟研究氚在增殖剂中的释放行为和辐照性能,通过离子注入方式对硅酸锂陶瓷进行了不同剂量的氘离子辐照,研究了D离子注入对硅酸锂表面形貌的影响,同时采用高温热解析技术研究了D在硅酸锂中的释放行为.结果表明:D离子注入在表面形成了微米级气泡带、纳米级微孔、无规则裂缝.在加热过程中D主要以HD、D2、HDO、D2O形态释放.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金凡亚		57	226	8.0	12.0
2	沈丽如		52	377	11.0	16.0
3	刘翔		14	45	5.0	6.0
4	尹星		5	5	1.0	2.0
5	冯勇进		8	5	1.0	2.0
6	李凌群		2	0	0.0	0.0
7	赵云华		2	1	1.0	1.0
8	陈晓军	中国中国工程物理研究院核物理与化学研究所	1	0	0.0	0.0