忆阻电路的韦库模型及其建模分析

• 作者: 包伯成 武花干 陈墨
• 来源期刊: 常州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 电路元件 韦库关系 忆阻电路
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: TN711
• 字数: 3307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2016.06.019

摘要

电流、电压、电荷和磁通是电路中的4个基本物理量,由此构成了包含忆阻器在内的4种基本元件.然而,最近文献提出,磁通和电荷是一对基本物理量,生成了以忆阻器、忆感器和忆容器引领的3类基本元件.以电阻-忆阻串联电路和忆阻蔡氏电路为例,基于磁通和电荷物理量,提出了忆阻电路的韦库模型,开展了相应的数学建模,并与伏安模型进行了比较分析.结果表明:采用伏安模型,忆阻是动态元件,导致电路的阶数增加;而采用韦库模型,忆阻是非动态元件,使得电路的阶数维持不变,有利于开展复杂忆阻电路的动力学特性分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包伯成	常州大学信息科学与工程学院	49	509	13.0	20.0
2	陈墨	常州大学信息科学与工程学院	8	37	3.0	6.0
3	武花干	常州大学信息科学与工程学院	7	18	2.0	4.0