CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

• 作者: 徐政 李俊 陈培仓
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS WAT 等离子体 损伤 半导体工艺
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 字数: 2978字
• 语种: 中文

摘要

WAT (Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验.随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效.设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊		38	117	4.0	9.0
2	徐政		14	17	3.0	3.0
3	陈培仓		3	1	1.0	1.0