多线切割工艺对研磨去除量的影响

• 作者: 何远东 杨洪星 苏鹏飞 马玉通
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 多线切割 损伤层 总厚度变化 翘曲度
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1848字
• 语种: 中文

摘要

大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素,而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素.通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	何远东	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	7	1.0	2.0
3	马玉通	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	31	4.0	5.0
4	苏鹏飞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	1	1.0	1.0