共栅共源结构GaN HEMT开关模型

• 作者: 张宁 林燎源 马皓
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN)器件 共栅共源结构 开关过程 高电子迁移率晶体管(HEMT)
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电气工程
• 页码范围: 508-518
• 页数: 11页
• 分类号: TM401
• 字数: 5387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2016.03.015

摘要

为了计算共栅共源结构高压氮化镓(GaN)器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型.通过考虑共栅共源结构中印制电路板(PCB)和引线寄生电感以及器件结电容,得出共栅共源结构GaN器件的等效电路模型,进而得到测试开关特性的双脉冲等效电路.按时间顺序将开通过程分为5个阶段,将关断过程分为4个阶段,对双脉冲等效电路进行分析和简化,并计算得出各个阶段中共栅共源结构GaN器件电压电流时域表达式,从而得到开关过程波形及损耗.在不同驱动电阻和开关电流下进行双脉冲实验,模型与实验的开关波形及损耗较吻合,表明所提出模型较准确.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马皓	浙江大学电气工程学院	132	2010	23.0	41.0
2	张宁	浙江大学电气工程学院	60	455	10.0	19.0
3	林燎源	浙江大学电气工程学院	8	64	2.0	8.0