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摘要:
以金属钨靶和石墨靶反应共溅射的方法,在硅片上制备碳化钨薄膜.实验探究了功率和衬底温度对薄膜成分、质量的影响.研究表明,衬底温度为400℃时,薄膜生长致密、均匀,无裂痕;当钨靶功率为55 W,逐渐增大石墨靶功率时,薄膜成分分别为W、W2C、WC1-x.经电化学研究发现W2C、WC1-x两种薄膜均对甲醇有电催化作用,且有很高的比表面积,面积为1 cm2的W2C、WC1-x薄膜电极对应的比表面积分别为33.32 cm2和64.68 cm2.
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文献信息
篇名 双靶反应共溅射制备WC薄膜及其电催化性能
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 双靶共溅射 溅射功率 石墨靶 电催化
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 968-972
页数 5页 分类号 O484
字数 2471字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐振方 暨南大学物理系 48 418 11.0 18.0
2 李春梅 暨南大学物理系 3 24 1.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
双靶共溅射
溅射功率
石墨靶
电催化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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38029
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