650 V/50 A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证

• 作者: 王曦 蒲红斌 陈治明 马骏
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二极管 结势垒肖特基 大功率
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 101-102,108
• 页数: 3页
• 分类号: TN111
• 字数: 1008字
• 语种: 中文

摘要

对肖特基区宽度不同的4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了仿真与实验研究.根据研究结果设计了一款兼具高功率处理能力与超低漏电流的4H-SiC JBS二极管并进行实验验证.实验结果显示所设计器件通态电阻为36 mΩ,反向耐压650 V时漏电流小于10 nA,功率处理能力大于30 kVA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
3	马骏		2	3	1.0	1.0
4	王曦	西安理工大学自动化与信息工程学院	13	84	6.0	9.0