一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型

• 作者: 刘军 李文钧 陈小川
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOIMOS变容管 简化衬底模型 数据拟合 参数提取算法
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1297-1301
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.004

摘要

提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型.在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法.模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅指,每栅指长度为1.6μm、宽度为5μm的MOS变容管器件,并且在15 GHz以下,模型与测量数据的CV、QV以及S参数有较好的拟合.在高频情况下,模型既保证了精度又解决了参数提取困难等问题.