制备工艺条件对 SiO2薄膜非均质特性的影响

• 作者: 刘华松 王刚 王利 王培培 王鹏 白云立
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束蒸发 堆积密度 非均质 制备工艺 光学薄膜
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: ICF 与激光等离子体
• 页码范围: 022003-1-022003-6
• 页数: 1页
• 分类号: O484
• 字数: 3740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.022003

摘要

薄膜材料的生长过程随镀膜机尺寸的增大而呈现新的规律，为制备膜层均匀性好、材料均质的大尺寸光学元件，分别在不同离子源能量、沉积压强、基板加热温度及基板转速条件下，采用离子辅助电子束蒸发方法制备了不同单层 SiO2薄膜样品；利用分光光度计及椭偏仪分别对样品的透过率及椭偏参数进行测量，并对测量结果进行拟合得到不同样品的折射率及非均质特性。实验结果表明，工件架转速是使大尺寸 SiO2薄膜材料产生非均质特性的主要影响因素，离子源能量、基板温度、沉积压强通过影响材料生长过程对材料的非均质特性产生调控；对于大尺寸薄膜光学元件，工件架转速存在限制的条件下，优化其他工艺参数可以获得均质 SiO2薄膜材料，该结果对于制备具有优良性能的大尺寸薄膜光学元件具有借鉴意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏		11	34	3.0	5.0
2	刘华松		15	65	3.0	7.0
3	白云立		3	4	1.0	2.0
4	王利		3	4	1.0	2.0
5	王刚		7	5	1.0	2.0
6	王培培		1	3	1.0	1.0